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　　近期，半导体晶圆代工市场可谓是“喜事连连”。一方面，英特尔、三星、联电等厂商纷纷公布财报显示，晶圆代工业务迎来利好；另一方面，台积电亚娱平台、世界先进的对外增资案也获得批准。多家厂商代工业绩表现亮眼当地时间8月1日，英特尔公布2024年第二季度财务业绩。数据显示，当季英特尔实现营收128亿美元，同比下降1%，低于市场分析师普遍预期的129。4亿美元。尽管总体营收不尽如人意，但在晶圆代工业务方面的表现却较好，数据显示，2024年第二季度，英特尔晶圆代工业务实现营收43亿美元，较2023年同期增长4%。图片来源：英特

　　香港正在设立其首条氮化镓（GaN）晶圆生产线，这是一种新一代半导体材料，旨在在美中技术竞争加剧的背景下，帮助香港在全球芯片行业占据一席之地。今年1月在香港成立的MassPhoton正在与政府资助的香港科学园（HKSTP）合作，建立一条8英寸GaN外延晶圆试验生产线万片的生产能力，MassPhoton创始人兼首席执行官廖义森在周二的媒体简报会上表示。该公司专注于制造紫外线-C消毒产品，将在香港新晶圆生产线万美元），并在科学园内建立GaN技术的研发中心，HK

　　新加坡国有投资公司淡马锡控股将大幅增加其在美国的投资，承诺在未来五年内投资300亿美元。该公司的战略将优先考虑与AI相关的公司、半导体制造商和基础设施企业，包括数据中心及其支持技术。随着地缘政治紧张局势升级，淡马锡对在中国投资越来越谨慎，这一战略转变正在发生。今年，美国已超过中国成为淡马锡资本的最大接受者，占其投资组合的22%。淡马锡北美负责人简·阿瑟顿（Jane Atherton）强调了公司对推动技术进步和经济增长的领域的关注。她表示，美国在AI发展方面处于领先地位，他们在这一领域看到了巨大的潜力。此外

　　印度总理纳伦德拉·莫迪正在“全力以赴”，努力将印度转变为全球芯片竞赛中的竞争者，但专家警告说，印度在建立自给自足的半导体生态系统之前还有很长的路要走。莫迪政府在2月份批准了价值150亿美元的国内半导体制造厂投资，包括印度本地财团塔塔集团（Tata Group）提出的建设该国首个主要芯片制造厂的提案。该工厂将设在莫迪的家乡古吉拉特邦，预计到2026年底每月生产5万片晶圆。这项投资还包括与日本、台湾和泰国公司合作开发的组装单元和包装厂。塔塔集团表示，其目标是到2030年推动印度半导体产业达到1100亿美元，占

　　冲绳科学技术研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一种超越半导体制造标准的极紫外（EUV）光刻技术。基于此设计的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并显著提高机器的可靠性和寿命。它的功耗也不到传统EUV光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环保可持续。通过解决两个以前被认为在该领域不可克服的问题，这项技术得以实现。第一个问题涉及一种仅包含两个镜子的全新光学投影系统。第二个问题涉及一种新的方法，可以有效地将EUV光引导到平面镜（光掩模）上的逻辑图案，而不会阻挡光学路径。E

　　美国在技术领域的影响力逐渐减弱，为了维持对中国的技术优势，不得不采取越来越绝望的措施。拜登政府最近推动的严格的半导体出口管制不仅揭示了以往政策的失败，也有可能疏远重要盟友，进而瓦解西方技术霸权的结构。华盛顿最近试图通过更严格的出口管制来加强对全球半导体贸易的控制，这表明其过去的战略已告失败。政府现在正在利用外国直接产品规则（FDPR）作为严厉威胁，试图通过胁迫让不情愿的盟友屈服。这一极端措施允许美国对使用了哪怕是最少量美国技术的外国制造产品实施管制，旨在迫使像日本的东京电子有限公司和荷兰的ASML控股公司

　　YMTC芯片制造商的首席执行官表示，中国将在3到5年内迎来“爆炸性”半导体增长

　　一位中国半导体行业高管预测，在封装应用和技术方面的优势支持下，中国将在未来三到五年内迎来“爆炸性增长”，为国家克服美国技术限制开辟道路。据中国国家电视台报道，中国半导体行业协会（CSIA）会长、中国最大的存储芯片制造商长江存储技术有限公司（YMTC）负责人陈南翔表示，国家正在探索一种新的市场导向型行业模式，放弃依赖大学和研究机构的旧模式。陈南翔在接受中国中央电视台英语频道CGTN采访时表示：“[今天的重点]是产业、产品、服务和商业模式的创新，这些最终必须带来价值。” 他在接受CGTN采访时说，“中国的芯片

　　美国半导体制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技术平台，用于电动汽车和其他应用。与前几代相比，该平台可减少30%的导通损耗和高达50%的关断损耗。据Onsemi称，所谓的EliteSiC M3e MOSFETs还提供了业界最低的特定导通电阻，并具有短路能力，这对牵引逆变器市场至关重要。在电动汽车中，逆变器将电池的直流电转换为电动机所需的交流电。转换损耗和冷却需求越低，车辆在相同电池容量下的续航里程就越大。具体示例：封装在Onsemi的功率模块中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技术提供了

　　中国科学家们研发出一种超薄半导体材料，这一进展可能会带来更快、更节能的微芯片。由北京大学的刘开辉、人民大学的刘灿和中国科学院物理研究所的张光宇领导的团队，开发了一种制造方法，可以生产厚度仅为0。7纳米的半导体材料。研究人员的发现于7月5日发表在同行评议期刊《科学》上，解决了减少传统硅基芯片尺寸的关键障碍——随着设备的缩小，硅芯片遇到了影响其性能的物理极限。这些科学家探讨了二维（2D）过渡金属二硫化物（TMDs）作为硅的替代品，其厚度仅为0。7纳米，而传统硅芯片的厚度通常为5-10纳米。TMDs还消耗更少的

　　美国政府正在考虑对中国获取先进芯片制造工具的限制措施，这些措施甚至被一些美国盟友称为“严厉”。主要提案包括应用外国直接产品（FDP）规则，施压盟友限制在中国的设备服务和维修，以及扩大需要许可证的未核实清单的范围。这些措施旨在阻碍中国半导体产业的进步。一个关键提案是应用FDP规则，这将允许美国对包含任何美国技术的外国生产的物品施加控制。根据彭博社的报道，这将特别影响像东京电子和阿斯麦（ASML）这样的公司，限制它们向中国提供先进的晶圆制造设备（WFE）。这一措施被美国盟友视为“严厉”，但反映了美国政府限制中

　　五角大楼的高级研究项目局（DARPA）拨款8。4亿美元，用于开发美国军方的下一代半导体微系统。这笔资金的受益者是德州电子研究所（TIE），该机构成立于2021年，位于德克萨斯大学奥斯汀分校，并作为一个由德州州政府和地方政府、芯片公司和学术机构组成的联盟运营。TIE的研究重点是异构集成技术，通常称为芯片组——将单独的硅片封装在一起形成完整的芯片。AMD等公司的处理器就广泛使用这种方法：现代的AMD Ryzen或Epyc处理器包括多个硅片，每个硅片包含CPU核心和IO电路。由于TIE在这一领域的半导体研发经验

　　通过香港向俄罗斯运输的高优先级物品（CHPL）减少了28%（2024年1月至5月）——美国商务部提供给路透社的数据 2023年通过香港/中国运输的Nvidia产品达1760万美元——C4ADS数据 香港是全球规避制裁的“领先”中心——新CFHK报告 高端芯片通过香港从Nvidia和Vectrawave运出 香港政府表示不会执行单边美国制裁

　　7月22日消息，据国内媒体报道称，中国半导体行业协会理事长陈南翔近日接受采访时表示，中国集成电路产业仍在路上，未来一定孕育巨大成功模式。“在40年前，我不曾想过中国半导体产业能有如今的发展规模，但是在过去的20年我们可以清楚的看到，未来中国一定会有今天这样的发展。”陈南翔称，不过，当下还不是中国半导体产业最好的发展状态，中国最好的状态正在路上。陈南翔指出，当前看到的三星正在做的三纳米和英特尔正在做的三纳米都是不一样的，有着各自的定义。“以前摩尔定律有效的时候，在每一个节点上，大家都知道三年后如何发展、六年

　　受到美国即将出台的限制华投资法案影响，许多早已在中国高科技领域投资的美国投资公司将面临退出或分拆的命运，而此项新法规将可能使美国资本失去参与未来半导体、量子计算机或人工智能（AI）等高科技发展的机会。据《芯智讯》报导，今年6月底美国财政部发布了「关于实施对外投资行政命令的拟议规则」（NPRM），限制美国人在中国半导体和微电子、量子信息技术、人工智能系统等领域的投资。该拟议规则目前正在征求意见，预计最终法规将在2024年底前出台。法令出台后，一些仍在中国高科技产业投资的美国企业可能要被迫剥离他们在中国高科技

　　semiconductor 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物)， [查看详细]

　　EEPW 30周年庆典直播： 纵论半导体应用及中国半导体产业现状及未来

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